LTspice VDMOSのパラメータ

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●モデル定義

 ライブラリにせずにお手軽に使うには、SPICEディレクティブを以下のように書く。

.model modelname VDMOS(model parameters)
●部品にモデルを指定する

 ライブラリにあるものは本体を右クリックして「Pick New MOSFET」を選ぶところだが、「NMOS」と書いてあるところを右クリックして、直接モデル名を打ち込む。

●お手本特性を作る

 電圧依存の電流源(G)を使ってグラフ上に表示しておくと便利。 適当に代表点を選んで、値(デフォルトでは「G」と書いてあるところ)に、table=(x1 y1, x2 y2, x3 y3, ...)と書く。たとえば、Vg-Id特性が

Vg[V]Id[A]
1.22.4
1.55.1
1.86.5
2.58.4
4.010.1

だったら、以下のように書く。

table=(1.2 2.4, 1.5 5.1, 1.8 6.5, 2.5 8.4, 4.0 10.1)

 波形ビュワーに直接折れ線を書くこともできるが、単位が付かないのでスケーリングが別々になってちょっと不便。

●ユーザー定義パラメータ

 部品の値などを { } で囲むと数式が書ける。 一部、BVなど { } がいらないものもある。 書ける数式に関してはヘルプの.paramあたりを参照。 数式の中ではユーザー定義のパラメータが使える。 ユーザー定義のパラメータは.paramsで定義する。

.model SSM3K123TU VDMOS(Rs={rs} Rd={rds-rs})
.params rds=2 rs=0.5

.params側でも数式を使える。

●パラメータを振る

 .stepを使う。 .stepの説明には.step VDMOS model ...という書き方ができるように書いてあるが、ペタっと貼り付けたモデルには使えないらしい。 そこで、ユーザー定義パラメータで指定しておいて、それを.stepで振る。

.model SSM3K123TU VDMOS(Kp={kp})
.step param kp list 1 3 10

 .stepで指定したパラメータは.paramsはなくてもよい(あってもよい。.stepが優先)。

 .stepは一度に二つ以上のパラメータを振ることもできる。

.model SSM3K123TU VDMOS(Vto={vto} Kp={kp})
.step param kp list 1 3 10 param vto list 0 1 2
●SPICEディレクティブをまとめて書く

 SPICEディレクティブは複数行をまとめて書ける。 [Ctrl]+[Enter]を押せばよい。 行頭が+の場合は行継続。 行頭が*はコメント。

home / junkbox / VDMOS VDMOSの主なパラメータ

●nchan・pchan

 nchanを指定するとNチャンネル、pchanを指定するとPチャンネルになる。 フラグになっていて、数値を指定する必要はない。 デフォルトではnchanが指定された状態になっている。

home / junkbox / VDMOS Vg-Idに関係するもの

●Vto(ターンオン電圧)

 スレッショルド電圧。この電圧からドレイン電流が立ち上がる。 エンハンスメント型MOSFET(つまり一般的なMOSFET)の場合、Nチャンネルでは正、Pチャンネルでは負の値を設定する。 デフォルトは0。


Vg対Id 緑: Vto=0 / 青: Vto=1 / 赤: Vto=2

●Kp(トランスコンダクタンス)

 Vgに対してIdが変化する割合。 Id=0.5Kp(Vg-Vto)2 という変化をする。 Idの傾きがKpVdに達すると直線的に増加するようになる。 mtriodeの項も参照のこと。 デフォルトは1。


Vg対Id 緑: Kp=1 / 青: Kp=2 / 赤: Kp=5

●subthres(サブスレッショルド)

 主にVtoよりも小さい部分のIdを決める。 VtoとKpで決まるIdの傾きが、subthresに達する位置よりも小さい側の電流が、指数カーブで減少するようになる。 Idを対数軸にするとよく分かる。


Vg対Id(対数軸) 緑: subthres=0 / 青: subthres=0.005 / 赤: subthres=0.01、ともにVto=1

 かなり小さい値を設定する。 直感的にどういう曲線ができるか分かりにくいが、値を大きくするとVg=0のときの電流が増える方向になる。 デフォルトは0なので、Vtoですっぱり電流が0になってしまう。

●Rd(ドレイン抵抗)・Rs(ソース抵抗)

 箱の内部に「理想のデバイス」があるとすれば、箱のドレイン端子と理想デバイスのドレイン端子の間に入るのがRd、箱のソース端子と理想デバイスのソース間に入るのがRs。 Rd+RsとVdでIdの最大値が決まる。


Vg対Id 緑: Rd=0 / 青: Rd=1 / 赤: Rd=2 / 水色 Rd=5、ともにVd=5 / Rs=0

 Vgが上がっていくとまず下に凸の放物線カーブで電流が増加していくが、Vd/Rdよりも電流は大きくならない。 例えば、Vdが5[V]でRdが1[Ω]なら5[A]以上にはならない。 この値を漸近線として電流が落ち着く。

 RdとRsの違いは、Rdが理想デバイスのVgsに影響を与えないのに対し、Rsは理想デバイスのソース電圧を押し上げてしまうので、Idが増えるとRsIdだけ理想デバイスのVgsが小さくなる。 したがって、Vg-Id曲線を見ると、同じIdになるVgが、RsIdだけ大きい方に移動した状態になる。


Vg対Id 緑: Rs=0 / 青: Rs=1 / 赤: Rs=2 / 水色 Rs=5、ともにVd=5 / Rd+Rs=5

 この図はまずrdsを5[Ω]と設定して、rsを振り、Rdには{rds-rs}を設定して、Rd+Rsが常に5[Ω]になるようにしてある。 Rs+Rdが常に5[Ω]なので、Idの最大値はVd/(Rd+Rs)=1[A]で同じ。 Idが0.5[A]になるVgを見ると、Rsが0のときに比べ、Rsが1[Ω]のときはId×Rsに相当する0.5[V]だけ到達が遅れ、Rsが2[Ω]では1[V]遅れ、Rsが5[Ω]では2.5[V]遅れることが分かる。

 デフォルトはどちらも0。 まずRs=0としてRdで最大電流を決め、Rd+Rsを一定としてRsを大きくしていき、Vgが大きい方向にグラフを引き伸ばして合わせていくとよい。 なお、この他にVd-Idカーブを決めるパラメータとしてmtriodeというのがある。

home / junkbox / VDMOS Vd-Idに関係するもの

●mtriode(三極管領域のコンダクタンス倍率)

 Vd-Id特性の線形領域(三極管領域: Vdが増加するとIdも増加する部分)で使う係数。 Vd=(Vg-Vto)/mtriodeの位置で線形領域から飽和領域に切り替わる。 大きくするとIdの立ち上がりが大きくなり、飽和領域に早く切り替わるようになる。 デフォルトは1。


Vd対Id 緑: mtriode=0.1 / 青: mtriode=0.2 / 赤: mtriode=0.5 / 水色: mtriode=1

 Vg-Idで見た場合、途中まで放物線に乗って電流が増えていき、ある点で接線に沿って増えていくようになる。 放物線に乗っている間はVdに依存しないので、飽和領域ということになる。 接線に乗った部分が線形領域である。 したがって、その境目がVd=(Vg-Vto)/mtriodeである。


Vg対Id 緑: mtriode=0.1 / 青: mtriode=0.2 / 赤: mtriode=0.5 / 水色: mtriode=1 / 紫: mtriode=1000、ともにVd=1

紫の線は参考のために示したもので、いわゆるVg-Idの放物線カーブである。

 これにRdが入ると理想デバイスのVdがIdRdだけ下がることになる。 この分だけ線形領域と飽和領域の境目がVdの高い方へずれる。


Vd対Id 緑: Rd=0 / 青: Rd=1 / 赤: Rd=2 / 水色: Rd=5 / 紫: Rd=10、いずれもVg=1 / mtriode=1

 Vgが1[V]、mtriodeが1なので、Rdが0[Ω]ならばVdが1[V]の位置に境界が来る。 この位置でのIdは500[mA]。 Rdが1[Ω]になると理想デバイスのVdが0.5[V]下がることになるので、境界が0.5[V]遅くなり、1.5[V]の位置になることが分かる。 つまり、Rdに応じて横方向に引き伸ばされたグラフになる。 Vg-Id曲線のRsによる効果と似ている。

 Vg-Id曲線ではIdが増えるにしたがって理想デバイスのVdsが小さくなっていくため、境界がVgのより小さい方へ移動する。 それと同時に最大電流がRdで制限されることになる。 これはRdの項で見たとおり。

 Rsが入るとVgsにも影響を与えるため、さらにややこしくなる。

●Lambda(ラムダ、チャネル長変調効果)

 主に飽和領域の傾きを決める。 Idが (1+Lamba・Vd) 倍になる。


Vd対Id 緑: Lambda=0 / 青: Lambda=0.1 / 赤: Lambda=0.2 / 水色: Lambda=0.3

 Lambda=0.1・Vd=1のときの電流を見ると550mAとなっており、Lambda=0の500mAのちょうど1.1倍になっていることが分かる。 デフォルトは0。

home / junkbox / VDMOS 動特性に関係するもの

●Rg(ゲート抵抗)

 ゲート容量の充電にかかる時間が変わる。 スイッチング時間に影響がある。


T対Vd 緑: Vd、左からRg=1 / Rg=2 / Rg=5 / 赤: Vg×4

 例は入力立ち上がりのみ。 メーカーによって測定条件が違うかもしれないが、例えば入力が10%立ち上がったところから、出力が90%変化したところまで、のように規定されている。 この例ではゲート入力は振幅2.5Vだが、分かりやすいように縦軸を10Vフルスケールにあわせている。

●Cgs(ゲート・ソース間容量)

 ターンオンするまでにチャージしなければならない容量。 Qg-Vg曲線が平らになるまでの傾きを決める。


Qg対Vg(横軸1nC/div) 緑: Cgs=100p / 青: Cgs=200p / 赤: Cgs=500p

 最近のパワーMOSFETの特性図を見るとこういう図が載っていることが多い。 横軸はゲート電荷なのだが、電荷量は電流×時間で決まるので、一定の電流をゲートに流すと、時間がゲート電荷を示すことになる。 ゲート電荷はnC(ナノクーロン)の単位のことが多い。 1nAを充電するようにすれば、1秒が1nCに相当する。

 この特性図を書かせるにはいくつかコツがあって、うまくやらないと思った特性にならなかったり、シミュレーションがうまく終わらなかったりする。 まず、ドレインに接続する電流源は「Advanced」を押して「This is an active load」にチェックを入れておく。 さらに直列に電圧源を入れてドレインの最大電圧を決める。 また、ゲートとドレインは絶縁状態にあるため、初期値を指定しておかないと思った電圧にならないことがある。 .IC V(Vd)=10 V(Vg)=0がそれ。 この指定を行うためにはネット上にノード名をつけておく必要がある。 多少配色をいじっているのだが、線のそばに青地でVd・Vgと書いてあるのがノード名。

 Cgsのデフォルトは0である。 これを0以外の値に設定しておく必要がある。 なにも指定せずに電流源を接続するとエラーになってしまう。 また、Vto以下でも電流が流れるようにsubthresを指定しておかないと、Vto以下でドレイン電圧が上昇する動きをしてしまう。

 MOSFETのドレイン-ソース間のコンダクタンスはゲートに突っ込んだ電荷量によって決まる。 ゲートに少しずつ電荷を入れていくと、ゲート電圧も少しずつ上がる。 ゲート電圧がVtoに達するとターンオン。 ドレイン電位を一定に保っているとだんだん電流が増えていく。 ここまではゲート電位も少しずつ上がっていく。

 電流がある値になったところで、電流を一定に保とうとすると、ドレイン電位が下がっていく。 そうすると、ゲート・ドレイン間容量の影響でゲート電位も下がる。 そこに電荷が入ってくるので、ゲート電位が元に戻るが、ドレイン-ソース間抵抗は減少するため、ドレイン電位がさらに下がる。 ドレイン電位が下がりきるまではゲート電位が一定になる。 見かけ上ゲート容量が次第に増加していると言うこともでき、増幅回路で言うところのミラー効果を見ていると言ってもよい。

 ドレイン電位がある程度まで下がると再びゲート電位は上昇する。 この区間の傾きはCgdも関係してくる。

●Cgdmin・Cgdmax(ゲートドレイン間容量)およびA

 ターンオンしてからチャージしなければならない容量。 Qg-Vg曲線が平らになった後、再び上昇していく位置はおおむねCgdminによって、傾きはおおむねCgdmaxによって決まる。 デフォルトはどちらも0。


Qg対Vg(横軸1nC/div) 緑: Cgdmax=500p Cgdmin=100p / 青: 同 Cgdmin=200p / 赤: 同 Cgdmin=300p /
水色: Cgdmax=1n Cgdmin=100p / 紫: 同 Cgdmin=200p / 灰: 同 Cgdmin=300p

AはVgd-Cgd曲線の傾きを決めている。 ヘルプを読むと、Aを大きくするほどVgdが低い電圧でCgdmaxに達する、ように見えるのだが、どうも挙動が違うように思う。 デフォルトは1。


Qg対Vg(横軸1nC/div) 緑: a=0.01 / 青: a=0.1 赤: a=1、 いずれも Cgs=100p / Cgdmin=100p / Cgdmax=500p

home / junkbox / VDMOS ボディダイオードに関係するもの

 ダイオードは、理想デバイスに並列に入るのではなく、箱に並列に入る。 ダイオードの特性はRb(ダイオードの抵抗値)とIs(飽和電流)でほぼ決まってしまう。 逆方向特性(つまり、FETのドレイン-ソースを順方向でつないだ場合の特性)にはブレークダウン電圧と、ブレークダウン時点での電流値があるが、ブレークダウンさせるような使い方をしない限りは不要だろう。

 動特性に関係するものにCjo(ダイオードの接合容量)、tt(いわゆるリカバリータイム)がある。 ルネサス(旧NEC)のカタログには書いてあることが多いんだけど、東芝のFETのカタログにはあんまり書いてないんだよな。 「パワーMOSFET電気的特性」というドキュメント見ると、trrはFRDに匹敵するって書いてあるけど。

home / junkbox / VDMOS Vg・Vd・Idの関係

理想デバイスのVg・VdとIdの関係は、

Vd < (Vg - Vto) / M の範囲では、 Id = [ - b { M Vd - ( Vg - Vto ) }2 + K ( Vg - Vto )2 ] ( 1 + L Vd )

Vd > (Vg - Vto) / M の範囲では、 Id = K ( Vg - Vto )2 ( 1 + L Vd )

ここで K は Kp/2、M は mtriode、L は Lambda。 前者が線形領域、後者が飽和領域。

Vd = (Vg - Vto) / M のときはどちらの式も Id = K ( Vg - Vto )2 ( 1 + L Vd ) になる。 これはVd < (Vg - Vto) / M の範囲の式の [ ] の中の放物線の頂点(b > 0 ならば上に凸)に一致している。 Lによる効果を考えなければ、頂点で水平になるところで水平な直線につながる。 つまり、1次微係数も一致しており、Id曲線はなめらかにつながる。

Vd が 0 のとき Id も 0 になるので、

0 = [ - b { 0 - ( Vg - Vto ) }2 + K ( Vg - Vto )2 ] ( 1 + L 0 )

0 = - b ( Vg - Vto )2 + K ( Vg - Vto )2

b ( Vg - Vto )2 = K ( Vg - Vto )2

b = K

だと分かる。

Vd < (Vg - Vto) / M を Vg の立場で考えると、

M Vd < (Vg - Vto)

Vg > M Vd + Vto

この範囲、つまりVgが大きい部分が線形領域であり、これより小さい部分が飽和領域である。

L の効果を無視して線形領域のドレイン電流を、Vgの昇べき順になるように計算してみると、

Id = - K { M Vd - ( Vg - Vto ) }2 + K ( Vg - Vto )2

Id = - K { M2 Vd2 + ( Vg - Vto )2 - 2 Vd M ( Vg - Vto ) } + K ( Vg - Vto )2

Id = - K M2 Vd2 - K ( Vg - Vto )2 + 2 K Vd M ( Vg - Vto ) + K ( Vg - Vto )2

Id = - K M2 Vd2 + 2 K Vd M ( Vg - Vto )

となり、この領域では傾き 2 K Vd M の右上がりの直線になることが分かる。

一方、飽和領域 Id = K ( Vg - Vto )2 ( 1 + L Vd ) を L の効果を無視した上で Vg について微分すると、

dId/dVg = 2 K ( Vg - Vto )

Vg = M Vd + Vto における極限は、

2 K ( M Vd + Vto - Vto )

= 2 K M Vd

となる。 つまり、 Vg = M Vd + Vto においてふたつの領域のIdの傾きが一致するので、Vg-IdでもId曲線はなめらかにつながる。 これより前では下に凸の放物線、後ろでは放物線のこの点での接線になる。 K = Kp/2 なので、2K = Kp である。 つまり、Kpは線形領域でのVg-Idカーブの傾きを指定していると言える。


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